Ụkpụrụ na-arụ ọrụ nke ọnọdụ nkwalite N-ọwa MOSFET

(1) Mmetụta nchịkwa nke vGS na ID na ọwa

① Okwu vGS=0

Enwere ike ịhụ na enwere njikọ PN abụọ azụ na azụ n'etiti drain d na isi iyi s nke nkwalite-mode.MOSFET.

Mgbe voltaji gate-source voltaji vGS = 0, ọ bụrụgodị na agbakwunyere vDS drain-source voltaji, na n'agbanyeghị na polarity nke vDS, a na-enwe mgbe niile PN junction na azụ ele mmadụ anya n'ihu ala. Enweghị ọwa na-eduzi n'etiti drain na isi iyi, ya mere, drain now ID≈0 n'oge a.

② Okwu vGS>0

Ọ bụrụ na vGS>0, a na-emepụta oghere eletrik na oyi akwa mkpuchi SiO2 n'etiti ọnụ ụzọ ámá na mkpụrụ. Ntuziaka nke ọkụ eletrik na-adabere na ọkụ eletrik na-eduzi site na ọnụ ụzọ ámá gaa na mkpụrụ n'elu semiconductor. Igwe ọkụ eletrik a na-achụpụ oghere ma na-adọta eletrọn. Oghere ndị na-agbagharị: A na-atụgharị oghere ndị dị na ụdị ụdị P dị nso n'ọnụ ụzọ ámá, na-ahapụ ion ndị na-anataghị ike (ion na-adịghị mma) iji mepụta oyi akwa. Dọrọ eletrọnị: Eletrọn (ndị na-ebu obere obere) dị na ụdị P na-adọta n'elu ala.

(2) Nhazi ọwa na-eduzi:

Mgbe uru vGS dị ntakịrị na ike ịdọrọ electrons adịghị ike, ọ nweghị ọwa na-eduzi n'etiti drain na isi iyi. Ka vGS na-abawanye, ọtụtụ eletrọn na-adọta n'elu oyi akwa nke mkpụrụ P. Mgbe vGS ruru ụfọdụ uru, electrons ndị a na-etolite ụdị N-ụdị nke dị n'elu ala P dị nso n'ọnụ ụzọ ámá ma jikọọ na mpaghara N + abụọ, na-eme ka ọwa N-ụdị conductive dị n'etiti drain na isi iyi. Ụdị conductivity ya dị iche na nke mkpụrụ ala P, ya mere a na-akpọkwa ya oyi akwa ntụgharị. VGS buru ibu bụ, ka ọkụ eletrik na-arụ ọrụ n'elu semiconductor na-esiwanye ike, ka electrons na-adọta n'elu ala nke P, ka ọwa na-eduzi na-adịwanye ukwuu, na ntanye na-eguzogide ọwa. A na-akpọ voltaji nke ọnụ ụzọ ámá mgbe ọwa na-amalite ịmalite, nke VT na-anọchi anya ya.