(1) Mmetụta nchịkwa nke vGS na ID na ọwa
① Ikpe nke vGS=0
Enwere ike ịhụ na enwere njikọ PN abụọ azụ na azụ n'etiti drain d na isi iyi s nke nkwalite-mode.MOSFET.
Mgbe voltaji gate-source voltaji vGS = 0, ọ bụrụgodị na agbakwunyere vDS drain-source voltaji, na n'agbanyeghị na polarity nke vDS, a na-enwe mgbe niile PN junction na azụ ele mmadụ anya n'ihu ala. Enweghị ọwa na-eduzi n'etiti drain na isi iyi, ya mere, drain now ID≈0 n'oge a.
② Okwu vGS>0
Ọ bụrụ na vGS>0, a na-emepụta oghere eletrik na oyi akwa mkpuchi SiO2 n'etiti ọnụ ụzọ ámá na mkpụrụ. Ntuziaka nke ọkụ eletrik na-adabere na ọkụ eletrik na-eduzi site na ọnụ ụzọ ámá gaa na mkpụrụ n'elu semiconductor. Igwe ọkụ eletrik a na-achụpụ oghere ma na-adọta eletrọn. Oghere ndị na-agbagharị: A na-atụgharị oghere ndị dị na ụdị ụdị P dị nso n'ọnụ ụzọ ámá, na-ahapụ ion ndị na-anataghị ike (ion na-adịghị mma) iji mepụta oyi akwa. Dọrọ eletrọnị: Eletrọn (ndị na-ebu obere obere) dị na ụdị P na-adọta n'elu ala.
(2) Nhazi ọwa na-eduzi:
Mgbe uru vGS dị ntakịrị na ike ịdọrọ electrons adịghị ike, ọ nweghị ọwa na-eduzi n'etiti drain na isi iyi. Ka vGS na-abawanye, ọtụtụ eletrọn na-adọta n'elu oyi akwa nke mkpụrụ P. Mgbe vGS ruru ụfọdụ uru, electrons ndị a na-etolite ụdị N-ụdị nke dị n'elu ala P dị nso n'ọnụ ụzọ ámá ma jikọọ na mpaghara N + abụọ, na-eme ka ọwa N-ụdị conductive dị n'etiti drain na isi iyi. Ụdị conductivity ya dị iche na nke mkpụrụ ala P, ya mere a na-akpọkwa ya oyi akwa ntụgharị. VGS buru ibu bụ, ka ọkụ eletrik na-arụ ọrụ n'elu semiconductor na-esiwanye ike, ka electrons na-adọta n'elu ala nke P, ka ọwa na-eduzi na-adịwanye ukwuu, na ntanye na-eguzogide ọwa. A na-akpọ voltaji nke ọnụ ụzọ ámá mgbe ọwa na-amalite ịmalite, nke VT na-anọchi anya ya.
NkeN-ọwa MOSFETAtụlere n'elu enweghị ike ịmepụta ọwa na-eduzi mgbe vGS <VT, na tube ahụ nọ n'ọnọdụ nkwụsị. Naanị mgbe vGS≥VT nwere ike ịmepụta ọwa. Ụdị nke aMOSFETnke ahụ ga-etolite ọwa na-eduzi mgbe a na-akpọ vGS≥VT ihe nkwalite-modeMOSFET. Mgbe emechara ọwa ahụ, a na-emepụta mmiri mmiri mgbe a na-etinye vDS voltaji na-aga n'ihu n'etiti drain na isi iyi. Mmetụta nke vDS na ID, mgbe vGS>VT na bụ ụfọdụ uru, mmetụta nke drain-source voltaji vDS na conductive ọwa na nke ugbu a ID yiri nke junction field effect transistor. Mbelata voltaji na-emepụta site na ID ID dị ugbu a na-eme ka voltaji dị n'etiti ebe ọ bụla dị na ọwa na ọnụ ụzọ ámá agaghịzi nhata. Voltage dị na njedebe dị nso na isi iyi bụ nke kachasị ukwuu, ebe ọwa kachasị. Voltage dị na njedebe drain bụ nke kacha nta, na uru ya bụ VGD = vGS-vDS, ya mere ọwa ahụ kacha dị gịrịgịrị ebe a. Mana mgbe vDS dị obere (vDS
Oge nzipu: Nov-12-2023