Mgbe emebe a ịgbanwee ike ọkọnọ ma ọ bụ moto mbanye sekit ijiMOSFET, A na-atụlekarị ihe ndị dị ka nkwụsị na-eguzogide, oke voltaji, na nke kachasị ugbu a nke MOS.
MOSFET tubes bụ ụdị FET nke enwere ike ịmepụta dị ka nkwalite ma ọ bụ mmebi, P-channel ma ọ bụ N-ọwa maka ngụkọta nke ụdị 4. nkwalite NMOSFET na nkwalite PMOSFET na-ejikarị eme ihe, na a na-akpọkarị abụọ ndị a.
Abụọ ndị a na-ejikarị bụ NMOS. ihe kpatara ya bụ na nguzogide na-eduzi dị ntakịrị ma dị mfe ịmepụta. Ya mere, a na-ejikarị NMOS eme ihe n'ịgbanwe ọkụ ọkụ na ngwa mbanye moto.
N'ime MOSFET, a na-etinye thyristor n'etiti drain na isi iyi, nke dị oke mkpa n'ịkwọ ụgbọ ala inductive dị ka moto, ma dị naanị na otu MOSFET, ọ bụghị na-emekarị na mgbawa sekit agbakwunyere.
Ike parasitic dị n'etiti ntụtụ atọ nke MOSFET, ọ bụghị na anyị chọrọ ya, kama n'ihi oke nke usoro nrụpụta. Ọnụnọ nke ikike parasitic na-eme ka ọ dịkwuo mfe mgbe ị na-emepụta ma ọ bụ na-ahọrọ sekit ọkwọ ụgbọ ala, mana enweghị ike izere ya.
The isi parameters nkeMOSFET
1, voltaji na-emeghe VT
Mepee voltaji (nke a makwaara dị ka voltaji ọnụ ụzọ): nke mere na voltaji ọnụ ụzọ chọrọ ịmalite ịmepụta ọwa na-eduzi n'etiti isi iyi S na igbapu D; ọkọlọtọ N-ọwa MOSFET, VT bụ banyere 3 ~ 6V; site na mmezi usoro, MOSFET VT uru nwere ike belata na 2 ~ 3V.
2, DC ntinye nguzogide RGS
Oke nke voltaji agbakwunyere n'etiti okporo ụzọ isi iyi na ọnụ ụzọ ámá ugbu a na-egosipụta njirimara a mgbe ụfọdụ site na ọnụ ụzọ ámá ugbu a na-eruba n'ọnụ ụzọ ámá, MOSFET's RGS nwere ike karịa 1010Ω.
3. igbapu isi iyi ndakpọ BVDS voltaji.
N'okpuru ọnọdụ nke VGS = 0 (emelitere), na usoro nke ịba ụba voltaji-isi iyi, ID na-abawanye nke ọma mgbe a na-akpọ VDS BVDS drain-source breakdown voltaji, ID na-abawanye nke ọma n'ihi ihe abụọ: (1) oke mmiri. ndakpọ nke oyi akwa nke dị nso na mmiri mmiri, (2) ntinye ntinye n'etiti oghere mmiri na isi iyi, ụfọdụ MOSFET, nke nwere ogologo trenchi dị mkpụmkpụ, na-amụba VDS ka mmiri mmiri na-asọba na mpaghara drain ahụ gbasaa na mpaghara isi iyi, na-eme ka ogologo ọwa ahụ bụ efu, ya bụ, ịmepụta ntinye mmiri-mmiri, ntinye, ọtụtụ n'ime ndị na-ebu na mpaghara isi iyi ga-adọrọ mmasị kpọmkwem site na ọkụ eletrik nke oyi akwa nkwụsị na mpaghara drain, na-eme ka ID buru ibu. .
4, ọnụ ụzọ mgbawa voltaji BVGS
Mgbe voltaji ọnụ ụzọ amụbawanye, VGS mgbe IG na-abawanye site na efu ka a na-akpọ ọnụ ụzọ mgbawa voltaji BVGS.
5,Transconductance ugboro dị ala
Mgbe VDS bụ uru a kapịrị ọnụ, ọnụọgụ nke microvariation nke drain ugbu a na microvariation nke voltaji isi iyi nke na-eme mgbanwe a na-akpọ transconductance, nke na-egosipụta ikike nke voltaji isi iyi iji chịkwaa drain ugbu a, na bụ ihe. oke dị mkpa nke na-akọwapụta ike mmụba nkeMOSFET.
6, na-eguzogide RON
On-eguzogide RON na-egosi mmetụta nke VDS na ID, bụ inverse nke mkpọda nke tangent akara nke drain e ji mara na a ụfọdụ ebe, na saturation mpaghara, ID fọrọ nke nta ka ọ dịghị agbanwe na VDS, RON bụ nnọọ nnukwu. uru, n'ozuzu na iri nke kilo-Ohms na narị otu narị kilo-Ohms, n'ihi na na dijitalụ sekit, MOSFET na-arụkarị ọrụ na steeti conductive VDS = 0, ya mere n'oge a, RON na-eguzogide nwere ike ịdị nso site na mmalite nke RON ka ọ dị, maka MOSFET izugbe, uru RON n'ime narị ole na ole ohms.
7, inter-polar capacitance
Interpolar capacitance dị n'etiti atọ electrodes: ọnụ ụzọ ámá capacitance CGS, ọnụ ụzọ drain capacitance CGD na igbapu iyi capacitance CDS-CGS na CGD bụ banyere 1 ~ 3pF, CDS bụ banyere 0.1 ~ 1pF.
8,Ihe na-akpata mkpọtụ obere oge
A na-ebute mkpọtụ site na adịghị ike na mmegharị nke ndị na-ebu na pipeline. N'ihi ọnụnọ ya, voltaji na-adịghị agbanwe agbanwe ma ọ bụ mgbanwe dị ugbu a na-eme na mmepụta ọ bụrụgodị na ọ nweghị mgbaàmà ọ bụla a na-enye site na amplifier. A na-egosipụtakarị arụmọrụ mkpọtụ n'ihe gbasara ụda mkpọtụ NF. Ngalaba ahụ bụ decibel (dB). Dị ntakịrị uru, obere mkpọtụ tube na-emepụta. Ihe na-eme mkpọtụ na-eme ka ọ dị ala bụ ụda ụda a na-atụ n'ogo dị ala. Ihe mmetụta mkpọtụ nke tube mmetụta ubi dị ihe dị ka dB ole na ole, erughị nke nke triode bipolar.
Oge nzipu: Eprel-24-2024
