Field Effect Transistor ewebiri dị kaMOSFET.There abụọ bụ isi ụdị: junction ubi mmetụta tubes na metal-oxide semiconductor ubi mmetụta tubes. A makwaara MOSFET dị ka transistor unipolar nke nwere ọtụtụ ndị na-ebu ya na-etinye aka na conductivity. Ha bụ ngwaọrụ semiconductor na-achịkwa voltaji. N'ihi nkwụsi ike ntinye ya dị elu, ụda dị ala, obere ike ike, na njirimara ndị ọzọ, na-eme ka ọ bụrụ onye asọmpi siri ike na transistor bipolar na transistors ike.
I. Isi paramita MOSFET
1, DC parameters
Enwere ike ịkọwapụta mmiri saturation ugbu a dị ka mmiri na-agbapụta ugbu a kwekọrọ na mgbe voltaji dị n'etiti ọnụ ụzọ na isi iyi ruru efu na voltaji dị n'etiti drain na isi iyi dị ukwuu karịa voltaji na-apụ apụ.
Pinch-off voltaji UP: UGS chọrọ iji belata ID na obere oge mgbe UDS doro anya;
Gbanyụọ voltaji UT: UGS chọrọ iweta ID na uru ụfọdụ mgbe UDS doro anya.
2, AC Parameters
Obere-ugboro transconductance gm: Na-akọwa mmetụta njikwa nke ọnụ ụzọ ámá na voltaji isi iyi na igbapu ugbu a.
Inter-pole capacitance: ikike dị n'etiti electrodes atọ nke MOSFET, uru dị ntakịrị, na-arụ ọrụ nke ọma.
3, Oke paramita
Mgbapu, voltaji ndakpọ isi: mgbe mmiri na-agbapụta ugbu a na-ebili nke ọma, ọ ga-ebute oke oke mmiri mgbe UDS.
Voltaji ndakpọ ọnụ ụzọ ámá: nkwụsịtụ ubi mmetụta tube nkịtị ọrụ, ọnụ ụzọ ámá na isi iyi n'etiti PN junction na agbara ele mmadụ anya n'ihu steeti, ugbu a bụ oke ibu na-emepụta ndakpọ.
II. Njirimara nkeMOSFET
MOSFET nwere ọrụ nkwalite ma nwee ike ịmepụta sekit gbanyere mkpọrọgwụ. E jiri ya tụnyere triode, ọ nwere njirimara ndị a.
(1) MOSFET bụ ngwaọrụ na-achịkwa voltaji, na ike na-achịkwa UGS;
(2) Ihe dị ugbu a na ntinye nke MOSFET dị oke ntakịrị, ya mere nkwụsị ntinye ya dị oke elu;
(3) Nkwụsi ike ọnọdụ okpomọkụ ya dị mma n'ihi na ọ na-eji ọtụtụ ndị na-ebu maka conductivity;
(4) Ọnụọgụ nkwuputa nke voltaji nke sekit mmụba ya dị ntakịrị karịa nke triode;
(5) Ọ na-eguzogide ọgwụ karịa radieshon.
Nke atọ,MOSFET na ntụnyere transistor
(1) MOSFET isi iyi, ọnụ ụzọ ámá, igbapu na triode isi iyi, base, set point pole kwekọrọ na ọrụ nke yiri ya.
(2) MOSFET bụ ngwaọrụ ugbu a na-achịkwa voltaji, ọnụọgụ mmụba dị ntakịrị, ike nkwalite adịghị mma; triode bụ ngwaọrụ voltaji na-achịkwa ugbu a, ike mmụba dị ike.
(3) MOSFET ọnụ ụzọ ámá isi adịghị ewe ugbu a; na triode ọrụ, isi ga-amịkọrọ a ụfọdụ ugbu a. Ya mere, MOSFET nguzogide ntinye ọnụ ụzọ ámá dị elu karịa nkwụsị ntinye triode.
(4) Usoro nchịkwa nke MOSFET nwere ntinye aka nke polytron, na triode nwere òkè nke ụdị abụọ nke ndị na-ebu, polytron na oligotron, na ntinye nke oligotron na-emetụta oke okpomọkụ, radieshon na ihe ndị ọzọ, ya mere, MOSFET. nwere nkwụsi ike okpomọkụ dị mma na nguzogide radieshon karịa transistor. Ekwesịrị ịhọrọ MOSFET mgbe ọnọdụ gburugburu ebe obibi na-agbanwe nke ukwuu.
(5) Mgbe MOSFET jikọtara na isi iyi metal na substrate, isi iyi na drain nwere ike gbanwere na njirimara adịghị agbanwe nke ukwuu, mgbe a na-agbanwe onye nchịkọta na emitter nke transistor, njirimara dị iche na uru β. na-ebelata.
(6) Ọnụ ọgụgụ mkpọtụ nke MOSFET dị obere.
(7) MOSFET na triode nwere ike mejupụtara nke a dịgasị iche iche nke amplifier sekit na ịgbanwee sekit, ma nke mbụ na-erepịakwa obere ike, elu thermal kwụsie ike, dịgasị iche iche nke ọkọnọ voltaji, n'ihi ya, a na-eji ya n'ọtụtụ ebe na nnukwu-ọnụ ọgụgụ na ultra-nnukwu. ọnụ ọgụgụ integrated sekit.
(8) Nguzogide nke triode buru ibu, na nguzogide MOSFET dị ntakịrị, ya mere MOSFET na-ejikarị eme ihe dị ka switches na arụmọrụ dị elu.
Oge nzipu: Mee-16-2024
