Otu esi ahọrọ MOSFET obere voltaji n'ụzọ ziri ezi

Nhọrọ MOSFET obere voltaji bụ akụkụ dị oke mkpa nkeMOSFETnhọrọ adịghị mma nwere ike imetụta arụmọrụ na ọnụ ahịa nke sekit dum, ma ọ ga-ewetakwa ọtụtụ nsogbu na ndị injinia, na otu esi ahọrọ MOSFET n'ụzọ ziri ezi?

 

 

Ịhọrọ N-ọwa ma ọ bụ P-ọwa Nzọụkwụ mbụ n'ịhọrọ ngwaọrụ ziri ezi maka imewe bụ ikpebi ma ị ga-eji N-channel ma ọ bụ P-channel MOSFET Na ngwa ike a na-ahụkarị, MOSFET na-eme mgbanwe n'akụkụ obere voltaji mgbe. MOSFET gbadoro ụkwụ na ibu ahụ jikọtara ya na voltaji ogwe. N'akụkụ mgba ọkụ dị ala, a ga-eji MOSFET N-channel n'ihi nleba anya nke voltaji achọrọ iji gbanyụọ ma ọ bụ gbanye ngwaọrụ ahụ.

 

Mgbe MOSFET jikọtara ya na bọs na ibu na-agbada, a ga-eji ngbanwe akụkụ voltaji dị elu mee ihe. A na-ejikarị MOSFET P-channel na topology a, ọzọ maka echiche mbanye voltaji. Kpebie ọkwa dị ugbu a. Họrọ ọkwa MOSFET dị ugbu a. Dabere na nhazi sekit, ọkwa a dị ugbu a kwesịrị ịbụ ihe kachasị elu nke ibu nwere ike idi n'okpuru ọnọdụ niile.

 

Yiri ihe gbasara voltaji, onye nrụpụta ga-ahụrịrị na ahọpụtaraMOSFETnwere ike iguzogide ọkwa a dị ugbu a, ọbụlagodi mgbe sistemu na-emepụta mmiri iyi. Okwu abụọ dị ugbu a ị ga-atụle bụ ọnọdụ na-aga n'ihu na spikes pulse. Na ụkpụrụ nduzi na-aga n'ihu, MOSFET nọ n'ọnọdụ kwụ ọtọ, mgbe ugbu a na-aga n'ihu na ngwaọrụ.

 

Pulse spikes bụ mgbe enwere nnukwu mgbawa (ma ọ bụ spikes nke ugbu a) na-agafe na ngwaọrụ ahụ. Ozugbo ekpebiela ihe kachasị ugbu a n'okpuru ọnọdụ ndị a, ọ bụ naanị ịhọrọ ngwaọrụ nke nwere ike iguzogide oke ugbu a. Ịchọpụta ihe ndị chọrọ okpomọkụ Ịhọrọ MOSFET na-achọkwa ịgbakọ ihe ndị chọrọ okpomọkụ nke usoro ahụ. Onye mmebe ga-atụle ọnọdụ abụọ dị iche iche, nke kachasị njọ na nke bụ eziokwu. A na-atụ aro ka a na-eji nchịkọta kachasị njọ mee ihe n'ihi na ọ na-enye oke nchekwa nchekwa ma hụ na usoro ahụ agaghị ada. Enwekwara ụfọdụ nha ị ga-amata na mpempe data MOSFET; dị ka nkwụsi ike nke okpomọkụ n'etiti semiconductor junction nke ngwugwu ngwaọrụ na gburugburu ebe obibi, na oke nkwụsị okpomọkụ. N'ịkpebi n'ịgbanwe arụmọrụ, nzọụkwụ ikpeazụ n'ịhọrọ MOSFET bụ ikpebi ngbanwe arụmọrụ nke ụlọ ọrụ ahụ.MOSFET.

Enwere ọtụtụ paramita na-emetụta ngbanwe arụmọrụ, mana nke kachasị mkpa bụ ọnụ ụzọ ámá/mmiri, ọnụ ụzọ ámá/isi iyi, na igbapu/isi iyi ike. Ike ndị a na-emepụta mfu ngbanwe na ngwaọrụ n'ihi na a ga-ana ha ụgwọ n'oge mgbanwe ọ bụla. Ya mere a na-ebelata ọsọ ngbanwe nke MOSFET na arụmọrụ nke ngwaọrụ ahụ na-ebelata. Iji gbakọọ mkpokọta mfu ngwaọrụ n'oge mgbanwe, onye nrụpụta ga-agbakọ mfu ntụgharị (Eon) na mfu nkwụsị.

 

Mgbe uru nke vGS dị obere, ike ịmịkọrọ electrons adịghị ike, ntanye - isi iyi n'etiti ọwa na-adịghị eduzi, mmụba vGS, na-abanye n'ime P substrate elu oyi akwa nke electrons na-abawanye, mgbe vGS ruru a. ụfọdụ uru, ndị a electrons n'ọnụ ụzọ ámá nso P substrate ọdịdị mejupụtara a mkpa oyi akwa nke N-ụdị, na na abụọ N + mpaghara ejikọrọ Mgbe vGS esịmde a ụfọdụ uru, ndị a electrons n'ọnụ ụzọ ámá nso P substrate ọdịdị ga-mere a a. N-ụdị mkpa oyi akwa, na jikọọ na abụọ N + mpaghara, na drain - isi iyi mejupụtara N-ụdị conductive ọwa, ya conductive ụdị na-abụghị nke P mkpụrụ, mejupụtara mgbochi ụdị oyi akwa. vGS buru ibu, ọrụ nke ọdịdị semiconductor nke ọkụ eletrik na-esiwanye ike, absorption nke electrons na mpụta nke P substrate, ka ọwa na-eduzi na-abawanye, na-ebelata nkwụsị nke ọwa. Nke ahụ bụ, N-channel MOSFET na vGS <VT, enweghị ike ịmepụta ọwa na-eduzi, tube dị na steeti nkwụsị. Ọ bụrụhaala na vGS ≥ VT, naanị mgbe mejupụtara ọwa. Mgbe emechara ọwa ahụ, a na-emepụta mmiri mmiri site na ịgbakwunye vDS voltaji na-aga n'ihu n'etiti drain - isi iyi.

Ma Vgs na-aga n'ihu na-abawanye, ka anyị kwuo IRFPS40N60KVgs = 100V mgbe Vds = 0 na Vds = 400V, ọnọdụ abụọ, ọrụ tube na-eweta mmetụta dị aṅaa, ma ọ bụrụ na ọkụ, ihe kpatara na usoro n'ime usoro ahụ bụ ka Vgs na-abawanye ga-ebelata. Rds (na) na-ebelata ngbanwe mgbanwe, ma n'otu oge ahụ ga-abawanye Qg, nke mere na nkwụsị nkwụsị na-abawanye, na-emetụta arụmọrụ nke MOSFET GS voltaji site na Vgg ka Cgs na-ebufe na ịrị elu, rutere na voltage mmezi Vth. , MOSFET mmalite conductive; MOSFET DS na-abawanye ugbu a, Millier capacitance na etiti oge n'ihi mwepu nke DS capacitance na mwepụ, GS capacitance chaja anaghị enwe mmetụta dị ukwuu; Qg = Cgs * Vgs, mana ụgwọ ahụ ga-aga n'ihu na-ewuli elu.

Voltage DS nke MOSFET na-agbada n'otu voltaji dị ka Vgs, ikike Millier na-abawanye nke ukwuu, voltaji mpụta mpụta na-akwụsị ịchaji ikike Millier, voltaji nke ikike GS na-agbanwe agbanwe, voltaji na ikike Millier na-abawanye, ebe voltaji na-abawanye. na DS capacitance na-aga n'ihu na-ebelata; voltaji DS nke MOSFET na-agbada na voltaji na njikwa zuru oke, ikike Millier na-adị ntakịrị. voltaji, na voltaji na GS capacitance na-ebili; Ọwa nha voltaji bụ ụlọ 3D01, 4D01, na usoro Nissan 3SK.

Mkpebi G-pole (ọnụ ụzọ ámá): jiri diode gear nke multimeter. Ọ bụrụ na ụkwụ na ụkwụ abụọ ndị ọzọ n'etiti voltaji dị mma na nke na-adịghị mma dị elu karịa 2V, ya bụ, ihe ngosi "1", ụkwụ a bụ ọnụ ụzọ ámá G. wee gbanwee mkpịsị akwụkwọ ahụ iji tụọ ihe fọdụrụ n'ụkwụ abụọ ahụ, ụda voltaji dị ntakịrị na oge ahụ, a na-ejikọta pen ojii na D-pole (mmiri), pen uhie na-ejikọta na S-pole (isi iyi).