Nyochaa nkwalite na mbelata MOSFET

D-FET dị na 0 ọnụ ụzọ ámá mgbe ịdị adị nke ọwa, nwere ike iduzi FET; E-FET nọ na nhụsianya ọnụ ụzọ 0 mgbe enweghị ọwa, enweghị ike iduzi FET. Ụdị FET abụọ a nwere njirimara na ojiji ha. N'ozuzu, enwekwukwa FET na sekit dị elu, obere ike dị oke ọnụ ahịa; na ngwaọrụ a na-arụ ọrụ, ọ bụ polarity nke ọnụ ụzọ ámá bias voltage na igbapu voltaji nke otu, ọ bụ ihe adaba na sekit imewe.

 

Ihe a na-akpọ nkwalite pụtara: mgbe VGS = 0 tube bụ steeti a na-ebipụ, gbakwunyere VGS ziri ezi, ọtụtụ ndị na-ebu ụgbọ na-adọrọ mmasị n'ọnụ ụzọ ámá, si otú ahụ "na-eme ka" ndị na-ebu na mpaghara ahụ, na-akpụ ọwa na-eduzi. MOSFET n-channel emelitere bụ n'ụzọ bụ isi mgbanaka aka ekpe-aka nri, nke bụ semiconductor ụdị P na ọgbọ nke oyi akwa nke mkpuchi ihe nkiri SiO2. Ọ na-emepụta oyi akwa mkpuchi nke SiO2 ihe nkiri na ụdị semiconductor P, wee gbasaa mpaghara abụọ ụdị N-ụdị nke ukwuu.fotolithography, ma na-eduga electrodes site na mpaghara N-ụdị, otu maka drain D na otu maka isi iyi S. A na-etinye akwa oyi akwa nke aluminum metal na mkpuchi mkpuchi n'etiti isi iyi na drain dị ka ọnụ ụzọ G. Mgbe VGS = 0 V. , e nwere nnọọ ole na ole diodes na azụ-na-azụ diodes n'etiti drain na isi iyi na voltaji dị n'etiti D na S adịghị etolite a ugbu a n'etiti D na S. A naghị emepụta ugbu a n'etiti D na S site na voltaji etinyere. .

 

Mgbe agbakwunyere voltaji ọnụ ụzọ ámá, ma ọ bụrụ na 0 <VGS <VGS (th), site na capacitive ọkụ eletrik kpụrụ n'etiti ọnụ ụzọ ámá na mkpụrụ, na polyon oghere na P-ụdị semiconductor nso na ala nke ọnụ ụzọ ámá na-repelled ala, na obere mbelata ion na-adịghị mma na-apụta; n'otu oge ahụ, ọ ga-adọta ndị oligons n'ime ya ịkwaga n'elu oyi akwa, ma ọnụ ọgụgụ dị oke na ezughi oke na-etolite a conductive ọwa nke na-ekwurịta okwu drain na isi iyi, n'ihi ya, ọ ka na-ezughị ezu Formation nke drain ugbu ID. mmụba ọzọ VGS, mgbe VGS > VGS (th) (VGS (th) a na-akpọ turn-on voltaji), n'ihi na n'oge a voltaji ọnụ ụzọ ámá dịtụ ike, na P-ụdị semiconductor elu oyi akwa nso na ala nke ọnụ ụzọ ámá n'okpuru mkpokọta nke ọzọ. electrons, ị nwere ike na-etolite a trenchi, igbapu na isi iyi nke nkwurịta okwu. Ọ bụrụ na agbakwunyere voltaji isi iyi mmiri n'oge a, enwere ike ịmepụta ID nke ugbu a. electrons na conductive ọwa kpụrụ n'okpuru ọnụ ụzọ ámá, n'ihi na nke ụgbọelu oghere na P-ụdị semiconductor polarity bụ megidere, n'ihi ya, ọ na-akpọ mgbochi ụdị oyi akwa. Ka VGS na-aga n'ihu na-abawanye, ID ga-aga n'ihu na-abawanye. ID = 0 na VGS = 0V, na mmiri mmiri na-eme naanị mgbe VGS> VGS (th), ya mere, ụdị MOSFET a na-akpọ nkwalite MOSFET.

 

Enwere ike ịkọwa mmekọrịta njikwa nke VGS na mmiri drain ugbu a site na curve iD = f(VGS(th))|VDS=const, nke a na-akpọ ntụgharị njirimara nnyefe, na ịdị ukwuu nke mkpọda nke ntụgharị àgwà ntụgharị, gm, na-egosipụta njikwa nke drain ugbu a site n'ọnụ ụzọ voltaji isi iyi. ịdị ukwuu gm bụ mA/V, yabụ gm na-akpọkwa transconductance.