De rol van vermogens-MOSFET-apparaten

IkeMOSFET bụ nke relatief veel voorkomende klasse van voedingsapparaten, "MOSFET" bụ de Engelse "Metal Oxide Semicoductor Field Effect Transistor" na-akọ. Het wordt gebruikt voor vermogen eindtrap apparaat, de sleutel door het metal material, SiO2 of SiN en halfgeleidermaterialen gemaakt van drie grondstoffen. Om het duidelijk te zeggen, macht MOSFET betekent dat het een grote werkende stroom kan mmepụta, en ze zijn ingedeeld in vele manieren, waarin in de functie van verliesniveau kan worden onderverdeeld in verbeterde type en licht depletie type, volgens kandụl kandụl na kandụl na kandụl. N-kanaal ụdị en Ụdị P-kanaal.

Okwu MOSFET ike n'elu het algemeen gebruikt voor schakelende voedingscircuits. Over het algemeen kiezenMOSFET - mmepụta ihe de parameter RDS(ON) om de aan-uitkarakteristieke impedantie te definiëren; RDS(ON) bụ nke ọma ngwa ngwa ngwa ma ọ bụ FET-toepassingen. De Data Information Guide definieert RDS(ON) in relatie tot de bedrijfsspanning van de gate, VGS, en de stroom die door de vermogensschakelaar vloeit, maar RDS(ON) bụ nke ikwu statische gegevensparameter voor voldoende ọnụ ụzọ ámá mbanye.

Ọ bụ ezie na MOSFET-fabrikant nken schakelende voeding ga-emerịrị ihe na-ezute minimale ontwerpspecificities na kosten, bụ n'ihi na ọ ga-adị mkpa. Otu n'ime ihe ndị a na-eme n'oge na-adịbeghị anya na-eme ka ọ pụta ìhè na ORing.Ndị MOSFET parallel laten werken en moeten meerdere apparaten worden gebruikt om de stroom naar de belasting te leiden. Na veel gevallen moeten ontwerpers de MOSFET's in serie schakelen zodat de RDS(ON) redelijk kan worden gereduceerd.

Naast RDS(ON), na-arụ ọrụ site na MOSFET họrọ, họrọ nke ọma MOSFET paramita dị iche iche na-eme ka ọ na-eme ka ndị na-agụ ontwerpers. Na veel gevallen moeten ontwerpers goed letten op de SOA-grafiek na Data Information Guide, die de correlatie tussen drainstroom na drain-bron bedrijfsspanning beschrijft. Voor het grootste deel definiert SOA de voedingsspanning na stroom waarbij de MOSFET veilig kan werken.

Maka ụdị ọnọdụ ibu dị n'elu, mgbe ị tụlechara (ma ọ bụ tụọ) nnukwu voltaji arụ ọrụ, wee hapụ oke nke 20% ruo 30%, ị nwere ike ịkọwapụta uru VDS dị ugbu a nke MOSFET dị mkpa. Ebe a ga-ekwu bụ na, ka mma ike na-eri na smoother e ji mara, nwere ike bulie na AC ugbu a usoro ugbu a diodes na inductor na mmechi nke mejupụtara nke ugbu a akara akaghị, hapụ si inductive ugbu a kinetic ume ịnọgide na-enwe MOSFET. rated ugbu a doro anya, nke ugbu a nwere ike ibelata. Ma ebe a ga-n'ime akaụntụ abụọ parameters: otu bụ uru nke ugbu a na-aga n'ihu na-arụ ọrụ na kasị elu uru nke otu usu ugbu spike (Spike na Surge), ndị a abụọ parameters ikpebi ole ị ga-ahọrọ gosiri uru nke uru dị ugbu a.